中兴u885(中兴u880卡刷包)

（报告出品方/作者：中泰证券，王芳、杨旭）

终端需求变化决定电子行业发展趋势，持续技术创新提供成长动能。每一轮 信息技术的变革都将带来产业技术路线的革命性变化和商业模式的突破性创 新，并进而催生新的应用拉动整个电子产业的发展，历史上从军工、家电、 大型 Pc++、个人 PC、功能手机到智能手机，都是由终端需求变化开始形成整 个电子行业向上发展的趋势。且伴随终端设备及其延伸产品的持续技术创新， 电子行业的成长驱动力层出不穷，每轮新的终端需求从兴起，到爆发，到快 速发展，再到步入成熟期，往往能持续近 10 年之久。

当下时点多元化新需求兴起，推动人机交互平台变化。不同于以往由单 一需求兴起引领的电子行业发展趋势，本轮信息技术变革由智慧物联网、 汽车电动智能化、VR/AR 虚拟现实融合发展等多种新需求和新技术共同 推动。其中，电动化的发展为汽车创造了信息化的可能性，智能化、网 联化、共享化则是逐步实现汽车的功能升级和模块整合，推动汽车从交 通工具变成新的人机交互平台。而 VR/AR 借助虚拟现实融合技术，打造 沉浸式的交互体验，将逐步替代手机成为新一代的便携式移动人机交互 平台。未来，VR/AR 也将与智能车融合，完成两类人机交互平台的协同 发展。

渗透率是判断终端需求爆发拐点的关键指标。终端需求的兴起往往伴随 着渗透率的提升，以智能手机为例：渗透率在 10%以下为行业初期的技 术积累与产品培育阶段，这一阶段往往对应多种技术路线，整个行业处 于萌芽期，比如智能手机诞生之初就出现了塞班和安卓操作系统之争； 渗透率超过 10%之后，行业迎来拐点，爆款产品出现并开始风靡市场， 行业进入快速发展阶段，从智能手机来看这一阶段的开启以苹果于 2007 年发布第一代 iphone 手机为标志，此后各大厂商群雄争霸争夺蓝海市 场；当渗透率达到 50%以后，行业竞争格局趋于清晰，头部品牌逐渐建 立起稳固的市场地位，占据行业内绝大部分份额，增量利润基本被头部 品牌瓜分；当渗透率超过 70%，行业开始迈入成熟期，需要靠不断的技 术创新驱动行业成长，行业整体偏向周期波动。类比来看，电动智能车 和 VR、AR 作为新的终端需求兴起，其发展历程也将遵循相似的演进路 径，渗透率将成为判断行业需求爆发拐点的关键指标。

1. 汽车：电动车引领消费新风尚，智能化、网联化发展强化人车交互属性

渗透率视角下，汽车电动化加速发展，智能化迎来风口，网联化仍处于 发展初期。

1）电动化：预计 2021-2022 年中国和全球的电动车渗透率先后超过 10%，行业进入爆发增长期，“三电系统”新增大量电子元器件需求。a） 电池：整车中成本占比约 38%，宁德时代稳居全球动力锂电龙头，比亚 迪、欣旺达、国轩高科和亿纬锂能等国内厂商也已具备全球化竞争实力； b）电机&电控：电机、电控在整车中成本占比分 别为 6.5%、5.5%，其中 igbt、DC/DC 和薄膜电容分别占电控成本的 44%、8%和 6%。IGbt 国产替代下弹性巨大，预计 2030 年全球新能源 车用 IGBT 的市场规模相比 2020 年翻了 17 倍，而 SiC 器件有望在中高 端车型逐渐接棒 IGBT 的高速成长；预计车用薄膜电容 2020-2025 年的全球市场规模 cagr 达到 56%。此外“三电系统”也带来了连接器、 PCB 以及其他被动元件的需求增长。

2）智能化：汽车智能化分为智能驾驶和智能座舱。智能驾驶：a）感知 层中，车载摄像头竞争格局最清晰，成长确定性最强，预计 2021-2030 年 CAGR 达到 20%；激光雷达弹性最大，预计 2021-2030 年的市场规 模 CAGR 高达 90%；超声波雷达技术成熟，市场渗透率较高，价格已下 探到较低水平；毫米波雷达主要被博世、大陆、德尔福和电装等 Tier1 厂 商主导，国内在部分上游领域已实现突破。b）决策层：算力提升和算法 迭代是关键，全球主要玩家为英伟达、高通和 Mobileye，合作车企数量 和技术实力都处于领先地位，国内主要玩家包括华为、地平线和黑芝麻 等。c）控制层：E/E 架构逐渐从分布式走向集中式，并最终走向中央计 算架构，国内厂商在缺货潮下顺势切入中低端车载 mcu 领域。智能座 舱：车载信息娱乐系统、中控屏和液晶仪表的搭载率较高，预计 2020-2025 年的 CAGR 分别为 14%、13% 和 13%；HUD 逐渐从W-HUD 向 AR-HUD 发展，预计 2021-2025 年全球 HUD 市场规模的 CAGR 为 42%，其中全球 AR-HUD 市场规模的 CAGR 预计为 62%。

3）网联化：通过 V2X 技术实现车与互联网+（V2N）、车与车（V2V）、 车与物（V2I）及车与人（V2P）之间的信息交互，实现单车智能向车路 协同的综合智能网联汽车发展，相应带动传感器、通信射频芯片及数据 存储芯片需求。目前网联化仍处于 V2N（也称车联网）阶段，预计到 2025 年中国/全球的车联网市场规模约为 1.0/1.5 万亿元，2020-25 年 CAGR 分别为 37%/19%。

1.1 电动化：电动车迎来 10%渗透率拐点，“三电系统”拉动电子元器件需求

在全球“双碳”战略推动下，2021-2022 年中国和全球先后迎来 10%的 渗透率拐点，汽车电动化加速发展。据中汽协预测，2021 年我国汽车总 销量将达到2610万辆，其中新能源汽车销量达到340万辆，同比+149%， 新能源汽车渗透率从 2020 年的 5%快速提升至 13%，2021 年成为中国 电动汽车的元年。据 EVTank 和德勤预测，2021-2022 年全球的汽车销 量将从 8343 万辆微增至 8760 万辆，新能源汽车销量将从 608 万辆增 长至 861 万辆，同比+42%，渗透率从 7%提升至 10%。因此，全球将 在 2022 年迎来电动车快速发展的切换窗口。

本土整车品牌崛起，销量和市场竞争力与日俱增。在国家政策大力扶持 和基础设施等产业链配套加快建设的背景下，国内涌现了诸如比亚迪、 蔚来、小鹏、理想、哪吒、零跑、威马等本土新势力品牌车企。同时国 内消费者对电动车的消费接受度高，庞大的国内汽车消费市场为自主整 车品牌厂商创造了绝佳的生存土壤，推动自主整车品牌的销量和市场竞 争力与日俱增。2021 年前三季度，国内传统车企比亚迪/五菱销量分别 达到 33/31 万辆，销量排名全球第二/第三，市占率分别为 7.7%/7.2%； 造车新势力蔚来销量约为 6.7 万辆，销量排名全球第十八，市占率约为 1.6%。

“三电系统”是电动车的核心，在整车中的成本占比约为 50%。“三电 系统”包括电池、电驱和电控，三者在“三电系统”的成本占比分别为 76%、13%和 11%，对应在整车中的成本占比分别为 38%、6.5%和 5.5%。 其中，电池是电动车的能量来源和成本核心；电机的主要作用是将动力电池的电能转化为驱动汽车前进的机械能；电控由逆变器、电源模块、 中央控制模块、保护模块和散热系统信号检测模块等组成。

电动车时代供应链洗牌重塑，助力车用电子零部件国产替代。汽车供应 链存在一定程度上的闭环，认证壁垒高，新玩家往往难以进入。参考历 史上美日欧汽车产业链的发展历程，正是美日欧车企、Tier1 与本土供应 链厂商紧密配合，在产品开发早期就进行了深入的合作和磨合，才使得 美日欧的汽车零部件厂商能够较快地开发出符合整车厂需求的产品，并 在汽车产业的长期发展过程中形成了强者恒强的核心竞争力。在当前汽 车电动智能化发展的大浪潮中，传统供应链体系将被打破重塑，而中国 处于汽车电动智能化发展的中心位臵，本土供应链厂商将顺势崛起。以 电动车核心的“三电系统”为例：1）电池方面，国内领先的电池厂商 包括宁德时代、比亚迪、欣旺达、国轩高科和亿纬锂能等，宁德时代 21H1 年在国内的市占率超过 50%，在全球的市占 率约为 31.8%，份额全球第一；2）电驱和电控方面，整车厂、传统 Tier 1 供应商和第三方供应商角逐，国内依托自主整车品牌的布局和第三方 厂商的积累，涌现了比亚迪、蔚然动力（蔚来）、蜂巢动力（长城）、威 睿电动（吉利）等整车品牌旗下的厂商，以及方正电驱、汇川技术、卧 龙电驱、上海电驱动等第三方厂商，而传统 Tier 1 供应商主要是博世、 大陆、法雷奥、西门子等海外巨头。随着自主整车品牌和国内“三电系 统”供应商的崛起，自然也将带动上游车用电子零部件的国产替代。

伴随“三电系统”的搭载，汽车电动化带来大量电子元器件需求。电动 车以电力系统作为动力来源，对于电力转换和功率变换具备更高的要求， 相应地提升了对功率器件等电子元器件的需求，主要增量来自于电池管 理模块和“三电系统”组成的电动动力总成部分。据德勤统计，相比于 传统燃油车，纯电动车的电池管理模块增加的单车电子元器件价值量约 为 130 美元，而动力总成部分增加的单车电子元器件价值量高达 1860 美元，预计 2025 年纯电动车的电子元器件 BOM 成本将达到 2875 美元， 是燃油车（640 美元）的 4.5 倍。

从电控成本拆分来看，IGBT、DC/DC 和薄膜电容为主要成本构成。电 控涉及的电子零部件包括 IGBT 功率开关、DC/DC 变换器、电流传感器、波纹电容以及微控制器等，分别占电控总成本的 44%、8%、11%、6% 和 11%。电机包括永磁同步电机和交流感应电机，以永磁电机为例，永 磁体是电机的主要成本构成，占电机总成本的 45%。

电控模块需要用到大量功率器件，预计 2030 年全球/中国新能源车功率 半导体市场规模将分别达到 181/91 亿美元，10 年 18 倍空间。IGBT 功 率开关主要应用于主逆变器以及 OBC（车载充电机）中，在主逆变器中 将电池输出的直流电逆变为交流电驱动汽车，在 OBC 中将外部输入的 交流电整流为直流电为新能源动力电池充电。DC/DC 变换器主要负责将 电池的高电压转换为其他汽车电子工作的低电压，需要用到高压 MOSFET 等功率器件。据 strategy Analytics 统计，功率器件在车用半 导体中的占比从燃油车的 21%大幅提升至纯电动车的 55%，汽车电动化 带来大量的功率器件新增需求。根据我们的测算，到 2025 年全球/中国 新能源车用功率半导体的市场规模将分别达到 77/41 亿美元，相比 2020 年翻了近 8 倍；到 2030 年全球/中国新能源车用功率半导体的市场规模 将分别达到 181/91 亿美元，相比 2020 年翻了 18 倍以上。

IGBT 为逆变器核心器件，国产替代下弹性巨大。随着汽车电动化的加 速，车用 IGBT 的用量大幅提升，加上双电机渗透率提升抬高单车价值 量，IGBT 成为汽车电动化增量最大的电子元器件。根据我们的测算， 到 2030 年全球/中国新能源车用 IGBT 的市场规模将分别达到 150/76 亿 美元，相比 2020 年的 9/4 亿美元翻了 17/19 倍。在本土整车品牌及汽 车产业供应链崛起的大背景下，时代电气、比亚迪、士兰微、斯达半导、 宏微科技等国内厂商逐渐切入车规级 IGBT 供应链，但目前全球车规级 IGBT 中国占比仍然较低，在汽车电动化加速扩空间+国产替代提份额的 双重助力下，国内 IGBT 厂商将获得跨越式的增长。

SiC MOSFET 相比 IGBT 具备更优异的的功率转换性能，成本、良率改 善后有望逐步进入中高端车型。相比于 Si 基半导体材料，以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更 高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作 高温、高频、抗辐射及大功率器件，SiC 基 MOSFET 相比 IGBT 具备更 高的电能转换效率和更小的体积。

目前国际主流 SiC 衬底尺寸为 4 英寸 和 6 英寸，由于晶圆面积小，芯片裁切效率低，导致 SiC 衬底成本高昂， 加上后续工艺中制造、封装良率低使得 SiC 器件成本一直居高不下。根 据中科院数据，同一级别下，SiC MOSFET 的价格比 Si 基 IGBT 高 4 倍。但鉴于 SiC MOSFET 的优异性能，特斯拉 Model 3、比亚迪汉 EV 四驱版等高端车型已开始率先采用 SiC MOSFET 器件。目前，从设计、 制造、封测到终端应用全产业链都在积极布局 SiC 器件，随着技术迭代、 工艺 know how 积累，推动良率提升、成本下行，SiC 器件将进入更多 中高端车型，从而打开 SiC 的应用市场。

汽车电动化亦带来连接器、PCB 和被动元件等基础电子零部件的需求增 长。1）连接器：预计 2025 年全球/中国的汽车连接器市场规模将达到 1563/670 亿元，2020-2025 年的 CAGR 分别达到 14%/19%，国内主要 厂商包括电连技术、瑞可达等。2）PCB：预计 2025 年全球/中国的车 载 PCB 市场规模将达到 826/361 亿元，2020-2025 年的 CAGR 分别达 到 18%/24%，国内主要公司包括世运电路、沪电股份、景旺电子、东山 精密、胜宏科技等。3）薄膜电容：预计 2025 年全球/中国的车用薄膜 电容市场规模将达到 117/62 亿元，2020-2025 年的 CAGR 分别达到 56%/63%，国内主要厂商包括法拉电子和江海股份。4）MLCC：预计 2025 年全球/中国的车用 MLCC 市场规模将分别达到 48/20 亿元， 2020-2025 年的 CAGR 分别为 17%/22%，国内主要厂商包括三环集团 和风华高科。（报告来源：未来智库）

1.2 智能化：L2 向 L3 跨越窗口期，ADAS 和智能座舱产业链百花齐放

政策驱动汽车智能化发展。2015 年，我国发布的《中国制造 2025》文件 首次提及智能网联汽车，随后国家在智能网联汽车的技术标准、核心零 部件自研、应用试点等各方面进行顶层规划，持续推动汽车智能化发展 进程。2020 年 11 月，交通运输部等五部门共同发布《智能网联汽车技 术路线图 2.0》，明确了我国智能网联汽车产业在不同时期的发展目标： 到 2025 年 L2、L3 级新车销量占比达 50%，C-V2X（蜂窝车联网）达 50%； 到 2030 年 L2、L3 级新车销量占比超过 70%，L4 级占比达 20%，C-V2X 新车装配基本普及。2021 年 5 月，国家确定 6 个城市为智慧城市基础设施与智能网联汽车协同发展的第一批试点城市，标志着汽车智能化和网 联化进入深度融合阶段。

从渗透率来看，2022 年将是 L2 向 L3 跨越的窗口期，带动整个智能汽 车产业链兴起。根据 Roland Berger 的预测，2020 年欧洲 L1/L2 级功能 车的渗透率达到 66%/14%，2025 年 L1/L2/L3/L4&L5 级功能车的渗透 率将分别达到 46%/39%/14%/1%，考虑欧洲汽车智能化推进速度较快， 我们适当调低高级别智能车的渗透率，并参考前文我国设定的渗透目标， 在 2020-2025 年及 2025-2030 年区间进行适当线性外推。

根据我们的 测算，目前 L2 级别的汽车渗透率已经迈入 20-50%的快速发展阶段，L2 级别的自动驾驶功能将逐渐成为中高端车型的标配。按照《汽车驾驶自 动化分级》标准，从 L3 开始自动驾驶系统将替代驾驶员负责监控驾驶 环境，成为真正意义上的智能车。2021 年 12 月 10 日，奔驰 L3 级自动 驾驶系统获得德国联邦交管局的上路许可，率先吹响了汽车智能化的冲 锋号。我们预计 L3 级别的智能车在 2022 年将实现小范围落地，进一步 推动汽车智能化发展，2022 年将成为全球自动驾驶元年，针对汽车智能 化的业务布局和产业投资也将加速推进，智能车将引领新一轮的产业发 展浪潮。

汽车智能化包括智能驾驶、智能座舱和智能服务三大部分。智能驾驶的 实现需要对汽车的周围环境进行感知、分析、判断并进行有效的处理和 执行，以实现拟人化的动作执行，是汽车智能化的基石，涉及感知、决 策和执行三大层次。智能座舱通过图像、语音、触控、手势等交互方式 提高驾驶操控体验和乘车娱乐性，是人车交互的入口，由智能座舱内饰 和座舱电子组成，其中座舱电子包括抬头显示（HUD）、全液晶仪表盘、 中控屏、车载信息娱乐系统、流媒体后视镜、后排液晶显示和车联网模 块等。智能服务将汽车与人及其社会生活相连接，是汽车智能化的延伸 和扩大，包括后市场服务、出行服务、社交及生活服务等。

从智能驾驶来看，感知层一般采用多传感器融合方案，组合不同功能的 传感器互为补充以实现冗余。感知层传感器主要包括车载摄像头、毫米 波雷达、激光雷达、超声波雷达以及惯性导航设备（GNSS and IMU）。 不同传感器在感知精度、感知范围、抗环境干扰及成本等方面各有优劣， 由于当前自动驾驶厂商还无法通过深度学习算法完全弥补硬件在环境感 知方面的缺陷，因此采用多传感器融合方案收集海量信息用于决策分析 是目前提高感知精度和可信度的主流方案。

车载摄像头成长确定性最强，竞争格局最优。车载摄像头成本低，且可 以通过算法配合实现大部分 ADAS 功能，成为感知层的重要传感器，目 前市场上主要车型的平均搭载数量约为 9 颗。同时车载摄像头的市场集 中度高，根据 Icvtank 数据，前四大镜头厂商占据近八成市场份额，加上 ADAS 镜头技术壁垒高，车企认证周期 3-5 年，新进入者面临极高的进入门 槛，行业竞争格局优。其中，舜宇光学市占率 30%以上，为全球车载镜头 第一大供货商；联创电子为国内唯二具备强竞争力的车载镜头厂商，是特斯 拉、蔚来 ADAS 镜头供应商，与 Mobileye、Nvidia、华为战略合作。韦尔 股份是国内车载镜头 CIS 传感器龙头供应商，且积极拓展海外市场持续提 升全球市占率。

激光雷达在L2向L3跨越的窗口期加速上车，带动光学零部件厂商腾飞。 激光雷达是目前精度最高的传感器，精度达到毫米波雷达的 10 倍，可 以精准地得到外界的环境信息并进行 3D 建模，在对信息精度具备苛刻 要求的高级别自动驾驶中具备不可替代的优势。但由于成本高昂，目前 激光雷达在 L1/L2 级别车型中属于选配，随着 L2 向 L3、L4 跃迁，激光 雷达的优势开始凸显，L3/L4/L5 分别需要 1/2/4 台激光雷达；加上激光 雷达的成本持续下行，激光雷达有望成为 L3 级别车型的标配，Yole 预 计 2032 年激光雷达的渗透率将达到 11%。激光雷达系统包括光发射模 块、光接收模块、扫描模块和信息处理模块，随着 2022 年迎来 L2 向 L3 跨越窗口期，此前获车企定点的激光雷达产品陆续上车，将带动整个 激光雷达产业链兴起。目前国内主要的激光雷达方案商包括禾赛科技、 速腾聚创和万集科技，光学元器件厂商包括永新光学、腾景科技、蓝特 光学、福晶科技等，以及激光雷达发射模组厂商炬光科技和发射端芯片 厂商长光华芯等。

激光雷达在所有感知层传感器中弹性最大，预计 2021-2030 年的市场规 模年均复合增速达到 90%。根据我们的测算，2021-2030 年激光雷达的 市场规模将从 5 亿元增长至 1743 亿元，CAGR 高达 90%；车载摄像头 的市场规模将从 320 亿元增长至 1698 亿元，CAGR 达到 20%。此外， 超声波雷达技术成熟，市场渗透率较高，价格已下探到较低水平，国内已有 奥迪威等厂商切入该市场，我们预计 2021-2030 年超声波雷达的市场规模 年均复合增速约为 10%；毫米波雷达市场主要被博世、大陆、德尔福和 电装等 Tier1 厂商占据，国内企业在上游射频前端 MMIC（单片微波集 成电路）套片、高频 PCB 等环节已实现局部突破，我们预计 2021-2030 年毫米波雷达的市场规模年均复合增速约为 14%。

从决策层来看，芯片算力提升和算法迭代是主旋律。随着自动驾驶级别 的提高，芯片需要处理的环境复杂度和操作多样性抬高算力需求，L2 级 别 的 算 力 需 求 在 10TOps 以 下 ， 到 L3/L4/L5 级 别 则 提 升 至 30-60/100/1000TOPS。同时，决策规划分为路径规划、行为决策和运 动规划三个层次，每个环节功能的实现都建立在对应的算法上，因此未 来自动驾驶决策层的核心竞争力将取决于决策算法。

目前全球自动驾驶 芯片主要玩家为英伟达、高通和 Mobileye，合作车企数量和技术实力都 处于领先地位，国内主要玩家包括华为、地平线和黑芝麻等。1）华为推 出的 MDc600 平台集成了 8 颗昇腾 310 AI 芯片，算力可达 352TOPS， 最高支持 L4 级别自动驾驶，除了在北汽极狐阿尔法华为 Hi 版和小康赛 力斯上应用外，与上汽、广汽、长安、吉利、江淮、一汽红旗、东风汽 车等车企也展开了深度合作；2）地平线 2021 年最新推出的征程五代芯 片，对标英伟达 Orin、Mobileye EyeQ5，最高可支持 L4 自动驾驶等级， 算力达到 128TOPS，征程系列芯片已搭载或即将搭载于长安 Uni-T、奇 瑞蚂蚁、上汽智己、传祺 gs4 Plus、岚图 FREE、思皓 QX、大通 MAXUsmIFA 等多款车型；3）黑芝麻 2021 年发布新一代 a1000pro， 算力最高可达 196 TOPS。

从控制层来看，关键在于命令执行的及时性和有效性，E/E（电子电气） 架构逐渐从分布式走向集中式，并最终走向中央计算架构。随着汽车电 动智能化的推进，分布式的 ECU（电子控制单元）逐渐向域集中，由 DCU（域控制器）集成多类 ECU 实现控制功能的集中，从而在减少整 车线束连接长度并降低成本的同时，减少电子电气架构的空间、功耗和 复杂性。进一步地，随着智能化程度加深对算力需求的大幅提升，传统 E/E 架构的网络带宽将难以适应巨量信息的传输，E/E 架构将朝着中央 计算架构演进，以实现更快速的信息传输和处理。

考虑 E/E 架构改变减少 MCU 用量和智能化提升 MCU 算力抬高 asp， 车载 MCU 市场规模将保持稳定增长。汽车控制器的本质是 MCU，而车 规级 MCU 由于认证周期长、可靠性要求高，是国产替代最难突破的阵 地。经测算，2025 年全球/中国车载 MCU 市场规模将分别达到 88/31 亿美元，2020-2025 年 CAGR 为 7%/9%。目前国内厂商已经切入雨刷、 车窗、遥控器、环境光控制、动态流水灯等与汽车安全性能相关性不大 的中低端车规 MCU，并有望在国产替代的趋势推动下持续扩大市场份 额。

从智能座舱来看，车载信息娱乐系统（IVI）、中控屏和液晶仪表的搭载 率较高，HUD（抬头显示）为未来重点发展方向，逐渐从 W-HUD 向 AR-HUD 发展。1）IVI：预计 2025 年全球/中国 IVI 的市场规模分别为 2727/885 亿元，2020-2025 年的 CAGR 达到 14%/14%。2）中控屏： 预计 2025 年全球/中国中控屏的市场规模分别为 1786/579 亿元， 2020-2025 年 CAGR 达到 13%/13%。3）液晶仪表：预计 2025 年全球 /中国液晶仪表的市场规模分别为 1396/453 亿元，2020-2025 年的 CAGR 达到 13%/13%。4）HUD：预计 2025 年全球/中国 HUD 的市场 规模分别为 385/125 亿元，2020-2025 年的 CAGR 为 42%/42%。其中， 2025 年全球/中国 W-HUD 的市场规模分别为 197/64 亿元，2020-2025 年的 CAGR 为 33%/33%；2025 年全球/中国 AR-HUD 的市场规模分别 为 188/61 亿元，2021-2025 年的 CAGR 为 62%/63%。从国内已布局厂 商来看，德赛西威是国内领先的车载信息娱乐系统供应商，HUD 供应商 包括华阳集团、水晶光电等，汽车屏则包括长信科技、隆利科技、伟时 电子、莱宝高科、欧菲光等。

1.3 网联化：打造智能服务，强化人车交互体验

V2X 与单车智能是实现自动驾驶的两大路径。V2X 与车载传感器（摄像 头、激光雷达、毫米波雷达等）目标类似，是为了获取其他车辆、行人 的运动状态，且不容易收到天气、障碍物以及距离等因素的影响。

V2X 通信的主流技术包括 DSRC 和 C-V2X。V2X 现存有两大标准体系： DSRC 和 C-V2X。1）DSRC 体系：通信标准是 IEEE 802.11p 和 1609.x， 由 IEEE（美国电气电子工程师学会）基于 WIFI 制定，标准化流程开始 于 2004 年。2）C-V2X 体系：基于蜂窝移动通信系统的技术，包括 lte-V2X 和 5g NR-V2X（即 4g\5G），其标准化时间较晚，但起技术优 势更大，在可靠性、时延、传输速率等指标上均表现更优。此外，由于 DSRC 在组网时需要新建更大量的路侧单元 RSU，部署成本较高；而 C-V2X 可以直接使用 4G/5G 网络，部署成本低。

中国推行 C-V2X，美国态度开始转向 C-V2X。整体看，DSRC 起步较早， 得到了欧美、日韩，以及主机厂、Tire1 的支持。但是由于部署成本、技 术指标的优势，C-V2X 得到了中国、芯片厂、模组厂的大力推行。1） 中国：大唐、华为等中国企业在 2015 年开始牵头在全球主流通信标准 化组织 3gPP 中积极推动 LTE-V2X 标准化工作。2018 年工信部正式发 布 5905~5925MHz（20MHz）车联网直连通信频率规划，表明中国政府 全力支持基于蜂窝网络的 LTE-V2X。2）美国：美国之前一直支持 DSRC， 但是近年态度开始有所转变，在 2020 年 11 月美国联邦通信委员会 fcc 最近针对 5.9GHz 的重新分配进行了投票，划定 20MHz 给 C-V2X 专用。 3）欧洲：其最近发布的 C-ITS（合作智能交通系统）倾向于 DSRC。

2025 年全球车联网市场规模有望达 1.5 万亿，2020-25 年 CAGR 19%。 2020 年车联网渗透率中国/全球分别为 49%/45%，对应市场规模分别为 2126 亿元、6434 亿元。预计到 2025 年，车联网中国/全球渗透率分别 达到 76%/59%，对应市场规模为 1.0/1.5 万亿，2020-25 年 CAGR 分别 为 37%/19%。

C-V2X 拥趸包括高通、华为、美欧车企；DSCR 则受车规半导体厂商、 日本车企支持。V2X 核心部件的产业链包括芯片公司、模组厂商、Tier 1、 车企，其中 tier 1 基本两种标准均会做，而产业链中其他三类厂商则在 路线上有倾向性。芯片环节，支持 DSRC 的多为以车规芯片为主营业务 的厂商，包括 NXP、Renesas、Cypress，而支持 C-V2X 的则为通信基 带厂商高通、华为。而车企中，支持 DSRC 的多为日企，而 C-V2X 则 是欧美企业以及中国企业。

V2X 芯片组的核心为基带芯片，此外还需 MCU、存储芯片、电源管理 等。我们这里以 NXP 推出的 V2X 解决方案为例，其核心芯片包括基带 芯片包括 DSRC 基带（NXP 可提供 SAF5400 产品）和 C-V2X 基带， 控制单元 MCU，存储芯片（包括 NAND flash 和 Dram），电源管理芯 片，CAN 控制芯片等。

2.AR/VR：VR加速渗透，AR想象空间巨大

ARVR 有望成为新一代人机交互平台，上游供应链将充分受益。20 年消 费级头显爆发带来了 VR 行业 C 端市场拐点，预计未来五年快速放量， 渗透率持续提升；AR 技术日趋成熟，光波导+MicroLED 方案取得突破， 科技巨头纷纷布局，静待行业开花。AR/VR 有望成为新一代的人机交互 接口，光学、显示、传感器等 VR/AR 上游核心零部件将率先受益，具备 确定性增长机遇。

2.1 VR：游戏机渗透率拐点已至，产业链军备竞赛开启

VR 产业开启新一轮景气周期，出货量快速爬升。2013 年 Oculus Rift 产品问世开启了 VR 行业的民用元年，2016 年市场热度达到高点，随后 由于受限于商业模式的不清晰、软硬件和生态的不成熟，VR 产业经历 了 2017-2019 年行业的瓶颈期。2019 年，5G 商用元年开启，VR 产业 迎来又一轮快速发展。从 VR 全球出货量来看，2020 年疫情冲击增加对 VR 产品的需求，Quest2 的硬件升级与高性价成催化剂带动 VR 行业发 展，加快VR对传统游戏机的渗透进程。根据VR陀螺统计，受益于Oculus Quest 系列销量的大幅提升，2020 年全球 VR 头显出货量达到 670 万台， 较 2019 年的 390 万台增长 72%。另外根据 Statistics 预计，2021 年全 球 VR 设备出货量将达到 1700 万台，同比大增 154%，2025 年全球 VR 设备出货量将达到 5970 万台，2021-2025 年 CAGR 高达 37%。

渗透率迎来拐点，VR 成长确定性高。根据我们的测算，从游戏机渗透 率来看，VR 已经达到 10%的渗透率拐点，21 年 VR 在游戏机中渗透率 为 16%，成长确定性高，整个产业链快速发展已经具备一定的基础。

从终端品牌来看：Oculus 全球第一，中国市场国产品牌潜力较大

1）全球市场 Oculus 稳居第一。2013 年 Oculus Rift 产品问世开启了 VR 行业的民用元年，随后微软、索尼、htc 等各大厂商纷纷入场布局， 如今纷纷实现了放量。根据 Counterpoint 发布的数据， Oculus 由 20 年前三季度约 30%的占有率飙升至 21 年 Q1 的 75%，稳居第一，其爆 款产品 Oculus Quest 2 截至 2021 年第一季度累计销量达 460 万台， 2020 年单产品市占率达到 35%。

2）中国市场 pico、大朋 VR 占据半壁江山。由于 Oculus 并未在中国发 售，Pico、大朋 VR 两家国产厂商占据中国市场的“半壁江山”，根据 IDC 数据，2020 年大朋 VR 连续两季度中国区市场份额第一，在 PC 头显、 VR 一体机、VR 解决方案等各方面共同发力。2020 年 q2、q3，大朋 VR 分别以 31%、32%的市场份额连续两季度蝉联第一，Q1、Q4 则名 列第二。

3）一体机为主流，PCVR、分体式 VR 定位不同功能。目前以 Quest2 为代表的一体机是消费级 VR 的主流形态；PC VR 主打 B 端市场和高端 玩家，21 年上半年仅有惠普 Reverb G2 眼动追踪版和 Htc vive Pro 2 两款 PC VR 头显发布，售价 1000 美元起；分体式 VR 定位于手机周边 附件，主打观影、投屏和 3DOF 游戏功能。

VR 硬件产业链主要由芯片、传感器、光学器件、其他结构件构成。前 三项是决定 VR 设备性能、交互流畅性、沉浸体验的关键布局，其他结构件主要承接手机产业链相关业务优势，多为对应手机产业链的供应商。 VR 市场的崛起，也将带动光学镜头模组、电池、PCB、功能/结构件、 代工等供应链厂商的成长。

成本拆分：芯片占比最高。目前主流的 VR 头显为例，其 BOM 成本约 为 350 美元（折合人民币 2370 元），其中芯片成本约 1050 元，占比最 高达 44%；摄像模组约 400 元，占比 17%；手柄约 400 元，占比 17%； 包装组装件（外壳、头带等）300 元，占比 13%；屏幕 220 元，占比 9%。

零部件拆分来看：受益渗透率持续提升，具备确定性增长机遇

1）光学：主流使用菲涅尔透镜方案，短焦方案正逐步兴起。菲涅尔方案达到 100°的视场角，技术成熟稳定且成本较低，代表产品有消费级 VR 主力 Quest 2、Pico Neo 3 等，但该方案也存在体积较大、不支持屈 光度调节的问题；21 年上半年 arpara 发布的两款 VR，松下、和硕发布 的机型采用了短焦方案，视场角均达到 90°水平，同时支持屈光度调节， 短焦方案的头显体积和重量较菲涅尔方案有明显的减小，特别是 arpara 发布了第一款 6 DOF 短焦 VR 一体机，预计下半年开始将会有越来越多 的一体机采用短焦方案。光学方面国内玩家包括舜宇光学、联创电子、 水晶光电等。

2）显示：Fast-LCD 为主流，未来方向为 Micro-OLED，4K 产能稳定， 5K 逐步装机。2018 年京东方研发出 VR 专用屏 Fast-LCD，并成功应用 于华为 VR2，Oculus Go 等产品，并凭借高响应速度，高清晰度，低成 本的优势迅速成为当前 VR 显示的主流。4K 分辨率的 FAST-LDC 屏幕 目前产能稳定、成本较低，且刷新率能达到 70Hz-90Hz，是当前 VR 头 显的首选；5K 分辨率开始逐步装机，21H1 HTC Vive 和 arpara 旗下发 布的各两款头显均达到了 5K 水平。显示器主要有京东方、深天马、蓝 思科技等国内行业龙头。

3）芯片：国内产品有较大的的赶超空间。以高通骁龙 865 为基础的 XR2 芯片是目前 VR 一体机的绝对主力芯片，统治了 2000-4000 元级消费级 VR 一体机；中低端机使用传统手机 soc，性能满足要求，成本也比较 低；目前国产芯片与国外存在较大差距，2020 年电信天翼小 V 一体机 使用了全志 VR9 芯片，但仅主打低端观影功能；Dream Glass 4K 则使 用了瑞芯微 Mali-T864 GPU，虽然在性能上与高通 XR2 尚有较大差距， 但国产芯片已在 VR/AR 领域突围。虽然 XR2 芯片的性能较已有大幅提 升，但在一体机上运行大型游戏，效果全开的话，仍然有些吃力，并且 随着未来分辨率的提高、刷新率的提高，对渲染、运算、存储等处理要 求还会不断增加，预计 VR 芯片算力提升会是大势所趋。而中长期来看， 随着 5G 云计算的引入，有望减轻终端设备算力的要求，部分运算可在 云端完成，这也为国产芯片提供了弯道超车的机会。

在 VR 芯片领域，国内有全志科技、瑞芯微成为一体机 SoC 的解决方案 供应商；韦尔股份、晶方科技凭借多年在智能手机、车载摄像等领域的 布局积累，业务拓展至 VR CIS 模组。

4）传感器：VR 传感器涉及声音、图像、动作捕捉等。在传感器环节： 国内主要标的为歌尔股份，歌尔股份从 2012 年开始布局 VR 市场，有 深厚的传感器技术积累。

5）从组装环节来看：歌尔一家独大，行业具备高速增长潜力。

歌尔股份：深度绑定 VR 大客户，充分享受 VR 行业成长红利。歌尔已 与 VR 行业龙头厂商达成长期深度合作，包括 Facebook、索尼、HTC、 Pico、华为、爱奇艺、三星等。目前，Facebook 的 Quest2 由歌尔独家 代工，歌尔代工的中高端 VR 头显出货量占全球总量一半以上，已经成 为出货量最大的 VR 代工厂商。市占率前 3 的 Facebook、索尼、Pico 从第一代 VR 产品开始，一直与歌尔合作至今。多年的合作经验积累， 使歌尔深入了解各厂商的 VR 设计理念、对子系统/功能的要求与发展方 向，提前研发、改进适配的零组件、算法解决方案和系统集成方案。经过疫情催化、5G 网络支持共同推动 VR 进入快速发展阶段，龙头厂商出 货量提升，歌尔充分享受 VR 行业成长红利。

从未来增长驱动力来看：1）应用服务商纷纷入局推动硬件市场发展， 如 facebook 收购 Oculus，字节收购 pico，丰富 VR 内容生态；2）消费 者习惯培养成功，终端出货快速增长，拉动产业链投资热情，逐步突破 各种关键技术，加速 VR 新品落地。

行业空间：预计 2025 年 VR 设备市场空间将达到 192 亿美元，是 2020 年的 8.2 倍，CAGR 高达 34%，其中屏幕/芯片增速最快。目前主流 VR 设备的单价在 300-400 美元，高配版和商用 VR 头显的单价更高，我们 假设取 350 美元作为 2021 年 VR 设备的均价，根据产业链调研显示， 芯片/屏幕/摄像头模组/手柄/包装组装件（包含外壳、头带、电池等）的 asp 约为 154/31/60/60/45 美元，由于渲染、算力处理需求的提高，预 计 VR 芯片的 asp 维持不变，2025 年 VR 芯片的市场空间为 92 亿美元， 2021-2025 年 CAGR 为 37%。

VR 屏幕方面，我们预计今明两年出于性 价比的考虑 Fast-LCD 仍是主流，由于分辨率的提升，asp 维持不变， 之后随着高对比度、高色域、低时延的 OLED 屏占比，每年 asp 约有 3%的提升，2025 年 VR 屏幕的市场空间为 20 亿美元，2021-2025 年 CAGR 为 40%。而摄像模组/手柄/包装组装机由于技术进步、规模效应 asp 每年约有 5%的下降，2025 年 VR 摄像模组/手柄/包装组装机市场空 间分别为 29/29/22 亿美元，CAGR 为 30%。总体来看，我们预计 2025 年 VR 设备市场空间将达到 192 亿美元，是 2020 年的 8.2 倍，CAGR 高达 34%。

2.2 AR：市场规模具备想象力

AR 目前主要有三种产品形态：头戴式、手持式、空间展示；在物理形 态上，分为眼镜/头盔/手机，相比 VR，AR 拥有更广泛的应用。

AR 产业因形态和价格尚未达到消费级的水平，仍在 B 端商业场景落地。 2021 年预计光波导镜片和 MicroLED 微显示屏幕良率和量产难题被突 破，AR 眼镜在功耗、体积、重量、视场角会有答复的改善和提升，AR 眼镜将越来越接近普通眼镜的形态，根据 Strategy Analytics 数据，2020 年 AR 81%的出货量来自于 B 端。整体来看，AR 产业进入 C 端市场尚 待时日，需苹果等科技巨头的推动和业界共同努力。

AR 产业链：与 VR 产业链相似度较高，主要区别在于感知交互与显示 模组。

1）终端：由于一体式对芯片和电池要求高，当前难以做到轻量级，目 前 AR 终端产品多为分体式。

2）芯片：高通芯片一家独大，国产芯片存在赶超空间。主流 AR 产品多 使用高通 XR1 或 XR 芯片，影目科技 INMO X 首次使用紫光展锐 T770 芯片，T770 是全球首款 6nm 制程 5G 芯片，采用 8 核心架构，包括四 个 A76 核心、四个 A55 核心，同时集成四个 Mali-g7GPU 图形核心， 770 具有四核 ISP，能实现 4K@60fps 编解码能力、120Hz 高频率刷新， 支持 108MP 传感器。

3）显示：Micro-LED 大势所趋。目前 Micro-OLED 屏幕与自由曲面和 BirdBath 光学方案搭配较多，因自由曲面和 BirdBath 光损较低，1080P 分辨率 Micro-OLED 成熟稳定，成为自由曲面和 BirdBath 黄金搭档；而 光波导方案对亮度要求高，Micro-OLED 在亮度上很难满足光波导方案 需求，现阶段 L-COS、DLP 方案与光波导搭配较多。Micro-LED 被认为 是光波导显示的终极方案。

4）光学：升级路径明确，光波导为发展方向。与 VR 不同的是，AR 眼 镜需要透视(see-through)，既要看到真实的外部世界，也要看到虚拟信 息，所以成像系统不能挡在视线前方，这就需要多加一个或一组光学组 合器(optical combiner)，通过“层叠”的形式， 将虚拟信息和真实场景 融为一体，互相补充，互相“增强”。目前 BirdBath 和自由曲面方案成 熟，视场角较大可量产，成本具有优势。光波导方案上半年有 4 款机型 曝光，灵犀微光发布二位扩瞳的阵列光波导模组 2D-1，宣称可量产。预 计未来随着光波导量产技术的突破，渗透率也会逐步提升。

5）感知交互： 2021 年上半年发布的两款 AR 眼镜中已有两款具有被手 势识别的功能，是未来的 AR 感知交互的重要方式，当前有 HoloLens 2、 Magic Leap one、Nreal light 等较主流的 AR 眼镜具备，配臵深度摄像 头模组是具备手势识别的刚性需求。

未来发展驱动力：

1）Facebook、微软、苹果等科技龙头积极布局 AR。9 月 Facebook 发布与雷朋合作生产的 AR 眼镜； 3 月微软发布 Microsoft Mesh，一个 基于混合现实和微软 Azure 云的写作平台，不同物理位臵的用户可以通过各种设备体验混合现实，包括远程全息，功效是协作等。6 月苹果 WWDC2021 发布 arkit5.0，Reality Kit 2.0，苹果地图将支持 AR 导航， 另外苹果预计 22 年下半年将推出重磅 MR 头显产品。

2）远程协作开拓应用场景，元宇宙爆发驱动 VR/AR 发展。新冠疫情隔 离催生了远程写作的需求，5G+云 XR 技术逐步落地，10 月 AR 远程协 作服务商 TechSee 获 3000 万美元 C 论融资，预计基于 AR 的远程协作 将成为未来几年 B 端重要应用落地场景；另外随着元宇宙概念的爆火， 众多大厂争先布局，VR/AR 作为元宇宙的关键入口具有巨大的想象空 间。

消费级头显有望引爆 AR 市场，ASP 或将下探。预计随着时间的推移，消费型 AR 头显的价格还将 进一步降低，平均售价将从 2020 年的 800 多美元下降到 2026 年的 500 美元以下（38% 的降幅）。预计市场上将存在各个价位的 AR 头显 设备，从超过 1,000 美元的旗舰级产品到低于 500 美元的入门级产 品。随着 AR 头显向大众市场普及，500 美元以下的产品预计将占据市 场主导地位。

能源转型方兴未艾，光伏储能加速装机，电力电子整体受益。“碳中和” 背景下，光伏发电迎来平价时代，装机成本持续下行，行业进入加速增 长拐点，带动相关电子元器件需求扩张。华为等国产光伏逆变器企业市 占率领先全球，有望推动光伏逆变器 IGBT/薄膜电容/电感等的国产化进 程。此外，能源转型的关键在于发展储能，储能市场高成长确定性高， 将有效带动锂电池和相关电子元器件的强劲需求。

1.新能源发电：光伏平价上网加速装机，电子元器件打开新成长空间

政策支持推动光伏行业逐渐走向成熟。2013 年《关于促进光伏产业健康 发展的若干意见》发布，从价格、财政补贴、税收、项目管理和并网管 理等方面提出了各项举措，光伏产业的政策扶持由此开始。之后“十三 五”规划制定光伏发展目标，推动光伏产业快速发展。2018 年，“531” 光伏新政明确对光伏建设控规模、降补贴，光伏行业由“政策驱动”向 “市场驱动”过渡，倒逼产业积极降本，加速光伏平价时代的到来。

光伏平价上网，装机成本持续下行，行业进入加速增长拐点。2021 年 政策规定新备案项目不再进行补贴，标志着光伏发电进入平价时代。随 着电池技术、生产工艺的创新优化，光伏度电成本持续下降。2020 年全 球光伏度电成本为 0.057USD/kW，2010-2020 年降幅达 85%。国内光 伏电价亦显著下降，2020 年Ⅰ类地区光伏发电标杆上网电价降至 0.35 元/kWh，已低于火电。此外，装机成本下降明显，2020 年全球光伏总 装机成本下滑至 883USD/kW，光伏装机性价比凸显，行业进入加速增 长拐点。

碳减排目标叠加光伏装机成本下降，驱动光伏装机规模快速增长。国内 方面，2021 年上半年光伏装机量受原材料价格抑制，截至 9 月份国内装 机规模仅 26GW，随着硅料价格回落，全年装机量预计可达 50GW。随 着光伏装机成本持续下行，“双碳”目标下“十四五”期间将迎来市场化 建设高峰，预计国内年均光伏装机新增容量为 70-90GW。2025 年累计 装机量有望达 643GW，发电量占比将达到 8.2%，较 2020 年提升 4pct。 海外方面，为实现碳减排任务，多国进行了光伏装机规划，市场增长确 定性高。据 GWEC 预测，2025 年全球光伏新增装机量将达 370GW， 累计装机量超 2000GW，五年 CAGR 达 23%。

光伏加速装机带动逆变器需求扩张，组串式逆变器市场快速发展。光伏 发电产生的是直流电压，而输电系统使用交流电压，因此需要通过逆变 器实现 DC/DC 和 DC/AC 变换后才能并入电网或供负载使用。逆变器按 适用场合可分为集中式、组串式、集散式和微型逆变器，目前市场上主 要以集中式逆变器和组串式逆变器为主。集中式逆变器是将汇总后的直流电转变为交流电，系统功率高、成本低，适用于大型光伏电站；组串 式逆变器是将组件产生的直流电转变为交流电后再汇总，具有高发电量、 高可靠性、安全性高、易安装维护等优点，是分布式光伏发电的首选方 案，同时也向集中地面电站场景扩展。数据显示，2021H1 分布式装机 占比提升至 65%，2020 年组串式逆变器出货量占比达 66%，未来随着 整县分布式光伏项目的加速推进，分布式光伏装机占比预计将进一步提 升，组串式逆变器仍将占据主导地位。

光伏逆变器由输入滤波电路、DC/DC MPPT 电路、DC/AC 逆变电路、 输出波电路、核心控制单元电路组成。拆分成本结构看，IGBT 等器件、 电容和电感占比分别为 13%、10%和 16%，未来各零部件将充分受益于 光伏逆变器需求的加速扩张。

我国光伏逆变器企业市占率领先全球，有望助力 IGBT 等核心器件的国 产化进程。2020 年全球光伏逆变器市场中，华为和阳光电源出货量合计 占比 42%，位居光伏逆变器龙头地位。目前 IGBT、薄膜电容和电感等 光伏逆变器核心器件的国产化率仍然不高，全球 IGBT 市场基本由英飞 凌等海外头部厂商主导，随着华为等国内光伏逆变器企业积极推动国产 化，光伏逆变器核心器件的国产替代进程将加速推进。

1）IGBT：逆变器是实现 DC/AC 的核心器件。根据我们的测算，2025 年光伏逆变器 IGBT 市场空间将达 75 亿元，5 年 CAGR 为 23%。集中 式逆变器多用 IGBT 模块方案，组串式逆变器则兼用 IGBT 单管方案。 随着组串式逆变器成市场主流，叠加 IGBT 单管设计和制造工艺水平不 断提高，预计 IGBT单管在光伏逆变器中的渗透率将持续提升。预计 2025 年全球光伏逆变器 IGBT 单管和 IGBT 模块市场分别为 33 亿元和 42 亿 元，CAGR 分别为 42%和 15%。此外，IGBT 单管在封装难度上比 IGBT 模块更低，叠加需求快速扩张，预计成为国内功率半导体企业实现光伏 IGBT 国产替代的突破点。

2）薄膜电容：在光伏逆变器中起滤波作用，以其耐高压、高频性能好 等优点得到广泛应用。我们预计 2025 年全球光伏薄膜电容市场规模将 达 62 亿元，5 年 CAGR 为 23%。光伏系统的输入滤波电路，直流升压 电路，驱动和控制器，输出滤波电路等都需要用到滤波电容，用于直流 滤波、AC/DC 转换、保证输出电能质量等。光伏逆变器输出电压通常需 达到上百伏，通常采用耐高压、高频特性好、能长期保持稳定的薄膜电 容器。

薄膜电容行业竞争格局分散，国内厂商加速突破。从全球范围看，薄膜 电容市场竞争格局分散，CR5 仅为 40%，松下、基美和法拉电子占据前 三名，市占率分别为 9%、8%和 8%。随着国内逆变器厂商对国内供应 链的支持，国产薄膜电容企业实力不断提升，龙头法拉电子市占率全球 前三，已具备全球竞争实力，处于国际第一梯队。

3）电感：2025年光伏逆变器电感市场空间预计将达100亿元，5年CAGR 达 23%。从竞争格局看，全球电感市场主要由日系厂商主导，2019 年 市占率前四的厂商分别为 TDK、村田、太阳诱电、奇力新，市占率合计 占比 61%，大陆厂商顺络电子市占率 7%，排名第五。在国内光伏逆变 器供应链国产化推动下，国产化国产厂商有望凭借技术突破和成本优势 实现份额提升。（报告来源：未来智库）

2.储能：储能迎来加速发展，电力电子整体受益

能源转型方兴未艾，发展储能是关键。受自然环境影响，光伏、风电等 新能源出力特征呈现间歇性、随机性和波动性，增大了电网调峰难度， 给电网稳定性带来冲击。因此，需要储能系统来平抑、消纳、平滑新能 源的发电输出。根据相关政府文件，目前已有 20 余省对新能源配储提 出要求，配储比例基本不低于 10%。

储能方式以抽水蓄能为主，电化学储能是新趋势。2020 年，全球及国内 储能累计装机中，抽水蓄能占比分别达到 90.3%和 89.3%，均占据绝对 主导地位。然而，受制于选址条件高及建设周期长等缺点，抽水蓄能开 发潜力远不及电化学储能。电化学储能以锂电池为主，转换效率可超 90%，产业链配套成熟，且光伏企业往往配备电化学储能，由此驱动锂 电池储能渗透率加速提升。2020 年全球和国内储能新增装机中，锂电池 储能占比分别高达 71.5%和 47.6%，储能方式正在由抽水蓄能向电化学 储能转变。

储能应用场景主要分为发电侧、电网侧及用户侧三类。1）发电侧：储 能可应用于电力调峰、辅助动态运行、平滑出力波动等场景，解决弃风 弃光问题；2）电网侧：储能可以参与电网调峰调频、缓解输电设备拥堵、 优化电网潮流分布、改善电能质量等，核心作用是保障电网稳定运行；3） 用户侧：峰谷价差套利是常见的用户侧应用场景，此外还包括设立备用 电源、开发智能交通等。

政策引导下，储能应用场景向发电侧、电网侧转变。储能大规模应用前， 应用场景以用户侧峰谷价差套利为主，2019 年国内电化学储能中用户侧 占比达 50.7%，发电侧可再生能源并网仅占 3.4%。2020 年起政策重点 支持发电侧和电网侧储能发展，2020 年新增化学储能中发电侧和电网侧 占比分别为 58.7%及 37.7%，远高于用户侧新增占比 2.0%。

储能装机高景气，储能电池、储能变流器打开成长空间。2020 年国内 和全球电化学储能新增装机规模分别为2.3GWh和9.3GWh，同增 153% 和 75%。电化学储能的快速发展预计将有效推动储能电池、储能变流器 （PCS）需求扩张。电化学储能系统主要由电池组、PCS、EMS、BMS 及其他电气设备构成，其中，电池组和 PCS 为主要成本项，占比分别为 60%和 20%。PCS 在储能系统中的成本占比明显高于光伏逆变器在光伏 系统中的占比 11%，主因 PCS 存在充电和放电两个方向的能量控制，因此对电子元器件和结构件的整体需求更大。

1）锂电池：电化学储能装机趋势下，催化锂电池市场进一步扩容。根 据我们的测算，2025 年全球储能锂电池市场空间为 1518.8 亿元，5 年 CAGR 达 68%。在电化学储能中，锂电池储能应用最为广泛，2020 年 全球累计投运电化学储能中，锂电池储能占比约 90%。电化学储能的快 速发展预计将带动锂电池市场进一步扩容。目前，磷酸铁锂电池由于具 有稳定性高、循环寿命长等特点，是国内电力储能系统中应用最多的锂 离子电池技术。从格局来看，国内储能电池供应商中有多家动力锂电企 业，宁德时代市占率第一。同时欣旺达也在积极发展储能业务，为客户 提供“一站式”储能系统解决方案，截至目前公司全球累计参与储能项 目近百个，且逐渐从从 Pack 过渡到电芯自供，伴随行业的快速扩张和 大客户旺盛的配套需求，欣旺达的储能业务预计将迎来快速发展。

2）储能变流器（PCS）：PCS 可实现太阳能、电网电能与储能电池电能 之间能量的双向传递，是储能系统的核心。PCS 与光伏逆变器具有类似 的成本结构，IGBT/电感/电容占 PCS 成本比重分别在 12%/13%/10%左 右。由于与光伏逆变器技术同源，储能变流器大多由光伏逆变器厂商供 应，2020 年国内 PCS 市场排名前列大多为光伏逆变器企业。

IGBT：与光伏逆变器同理，IGBT 是 PCS 的核心器件。我们预计 2025 年全球储能变流器带来的 IGBT 市场规模将达到 67.5 亿元，CAGR 达 68%。与光伏逆变器相比，PCS 对续流二极管的载流能力要求更高。目 前，国内储能变流器 IGBT 等器件主要由英飞凌等海外头部厂商供应。

薄膜电容/电感：电容和电感在 PCS 中的占比为 10%和 16%，其中,PCS 电容以薄膜电容为主。因此我们预计 2025 年全球 PCS 带来的薄膜电容 和电感市场规模分别达56.3 亿元和 90.0 亿元，CAGR分别达 68%/68%。

当下我们正占在新一次科技浪潮的起点，汽车、VR/AR、风光等新能源 三大新技术将引领未来十年科技浪潮，其体量远超消费电子。我们认为， 大陆在产业链上已做好准备，未来将全面迎接科技新浪潮。1）过去十年， 苹果供应链向大陆转移+大陆终端手机品牌的崛起，为一批大陆精密制 造、PCB、电子元器件等企业提供了成长的沃土，该类企业将快速从消 费电子切换至新一代技术；2）大陆半导体在各环节已有初步的技术积累并在 2021 年缺货潮中得到验证，未来在“国产替代+政策助力”的底层 逻辑下，未来十年大陆半导体产业将配合新一代技术革命循序从中低端 向高端切入。

1. 大陆精密制造等产业已做好产业链迁移准备

1.1 过去十年，中国精密制造等乘销售电子浪潮而起

中国内地凭借电子信息产业发展与教育人口红利，抓住智能手机发展浪 潮，承接苹果供应链，同时本土手机品牌崛起，中国精密制造业获得快 速发展，消费电子产业链条逐渐完备。

教育人口红利释放，中国内地电子信息产业近十年高速发展。（1）受益 高等教育普及率的提升，2001-2010 十年共培育 3500 万本科/专科/研究 生毕业生。根据国家统计局数据，2001-2008 本专科/研究生毕业人数年 增速达 10%+，2001-2010 这 10 年，我国共培育了 3347 万本专科毕业 生，227 万研究生，为接下来的十年发展储备了充足的人才；而在 2008 年后，本专科/研究生毕业人数的年增速稳定，2020 年本专科/研究生毕 业生 797/72.9 万人，持续为业界输送优秀人才。（2）过去 12 年，电子 信息制造业主营业务 CAGR 为 7%。

苹果产业链向大陆迁移，国产手机品牌崛起，为中国精密制造业提供成 长沃土。（1）目前中国大陆+中国香港的苹果供应商 52 家，占比 26%。 凭借稳定的政治环境和人力成本优势，苹果产业链逐渐向中国大陆转移， 苹果的中国供应商数量逐渐上升，2013 年中国大陆+中国香港的苹果供 应商只有 12 家、占比 6%， 而 2020 年大陆+中国香港有 52 家苹果供 应商、占比 26%。（2）中国本土智能机占据全球市场的半壁江山，拉动 上游成长。2001-2020 年，华为、小米、oppo、vivo 的合计市占率稳 步提升，2020 年合计市占率达 42.9%，本土需求拉动上游零部件、组装 等制造环节。

消费电子产业链从中国台湾向大陆迁移，中国内地精密制造业获益。中国台湾的广达、和硕等四个 PC 制造大厂在过去十年逐渐没落，营收甚 至出现负增长（鸿海精密通过及时布局大陆工厂营收增速高），对比之下， 立讯精密、歌尔股份、领益智造等中国大陆精密制造企业的营收显著提 升，2016 年领益智造的 3 年 CAGR 超过 100%，中国大陆制造力量凸 显。

1.2 精密制造等可从消费电子快速迁移至汽车、VR/AR 领域

精密制造中国消费电子产业经过十年发展，在结构件、电池模组、音频 传感器、摄像头等领域的研发制造能力储备充足，这些能力或可迁移到 汽车、ARVR 的部分产业链条。比如精密制造领域的蓝思科技、立讯精 密等龙头公司，已将精密结构件等能力迁移入特斯拉等主机厂以及博世 等 Tier 1 厂商；而联创电子、舜宇光学等在消费电子领域第二梯队的厂 商，则在汽车电子时代实现了弯道超车。

2.未来十年，大陆半导体将配合科技新浪潮，循序向中高端切入

我们认为，当前大陆半导体仍处于黄金十年的起点。大陆厂商已在中低 端市场有了初步的技术积累，并已借由此轮“窗口期”在客户端证明了 其技术能力。而新一代技术革命则是一阵“东风”，在“国产替代+政策 助力”的底层逻辑下，未来十年大陆半导体产业将配合新一代技术革命 向中高端市场循序切入，于万亿市场里开疆扩土。

2.1 半导体各环节已有初步技术积累

截至 2020 年，大陆半导体市占率约 5%。2006 年启动“02 专项”，以 建立 90/65/45/28/14nm 等节点完整的供应链为目标，我国半导体进入 快速发展阶段，此后产业链各环节涌现大量玩家。2014 年“国家集成电 路产业投资基金”成立，进一步加快自主发展过程。截至 2020 年，大 陆半导体总体市占率约 5%。而 2021 年在“国产替代+缺货潮”的双重 “窗口期”下，验证周期极大缩短，大量玩家加速切入海内外客户的供 应链。

虽整体竞争力仍较弱，但产业链各环节已均有布局。从整体市占率看， 中国大陆弱于美国、日韩、中国台湾地区，但从产业链各环节已均有玩 家参与。目前封测环节市占率已超过 20%，其他环节低于 10%，而制造 环节的设备、核心 IP、eda 最为薄弱（市占率<5%）。

设计/idms：各细分品类均有玩家参与，少数产品建立优势，部分产品 在中低端已可比肩海外大厂。整体看，大陆在设计环节市占率约 6%；其 中指纹传感器已建立优势，市占率在 1/3 以上；CIS、分立器件、MCU 已 初步具备竞争力，在中低端产品上可比肩海外大厂；模拟厂商大陆已有 较多玩家，但由于模拟产品的“常青树+广料号”属性，上量慢于 MCU、 CIS 等，目前大陆厂商市场份额我们预估未超过 5%；存储由长鑫、长存 引领，预计产能扩张后市占率能有较大提升。而在高性能 CPU、FPGA 等 高端芯片上，中国大陆整体实力仍较弱。

制造：成熟制程已具备基础制造能力，先进制程追赶中。以中芯国际、 华虹半导体为代表的代工厂已能为设计厂商提供部分成熟制程制造工 艺，而先进制程目前主要受制于设备进口限制，仍有待观望。总体看，制造环节大陆厂商市占率约 6%。

设备：已有初步覆盖，自给率逐步提升。现阶段，国产设备普遍仍发展 初期，但布局已较全面。1）蚀刻设备（价值量占 23%，国产化率<20%）： 北方华创（硅蚀刻和金属蚀刻）、中微半导体（等离子体刻蚀）、屹唐半 导体（离子体蚀刻）。2）光刻设备（价值量占 20%，国产化率<10%）： 上海微电子、芯碁微装。3）PVD/CVD 设备（价值量占 20%，国产化率 <10%）：北方华创（PVD、CVD），沈阳拓荆（CVD）。4）量测设备（价 值量占 12%，国产化率<10%）：精测电子、华峰测控、长川科技、上海 睿励。5）清洗设备（价值量占 6%，国产化率<10%）：盛美半导体（清 洗设备）、纯科技（清洗设备）。6）热处理设备（价值量占 4%，国产化 率<20%）：北方华创（氧化、扩散以及退火三环节均有设备）。7）离子 注入设备（价值量占 3%，国产化率<10%）：万业企业、中电科电子装 备。8）cmP 设备（价值量占 3%，国产化率<10%）：华海清科。

材料：细分领域国产化率仍较低，但已实现全品类布局。半导体制造环 节中，硅片、电子特种气体、光掩模为价值占比最高的 3 种材料，价值 比例分别为 33%、14%和 13%。以价值构成最大的硅片为例，当前我国的 国产化率非常低。根据 SEMI 的数据，2020 全球市占率前 3 的硅片厂商 分别为日本的信越化学、SUMCO 和中国台湾的环球晶圆，CR3 高达 64%， 中国大陆规模最大的沪硅产业市占率仅为 2.2%。但是国内厂商正在奋力 追赶，从材料种类来看，目前内资厂商已经实现整个半导体材料的全品 类布局，并产生各自领域的规模上市企业。（报告来源：未来智库）

2.2 大基金、税收优惠、科创板融资等政策，助力半导体自主可控

为推动半导体的国产自主可控，中央政府主要从 1）大基金投资、2）税 收优惠和 3）科创板上市三个方面，切实为半导体企业提供直接的资金 支持和融资助力，同时地方政府通过推动 4）半导体产业集群、设立投 资基金等方式支持半导体产业发展。

大基金：一期光荣完成使命，二期接棒持续助力。（1）一期重点发力制 造环节，目前进入退出期。一期成立于 2014 年，注册资本为 987 亿元， 而据我们统计，大基金一期以增资、认购等灵活的出资方式共计投资了26 家上市半导体公司，实际投资金额达 1387 亿元，投资分布（上市+ 非上市）为制造 67%、设计 17%、封测 10%和装备材料 6%。大基金的 退出期为 2019-2024 年，目前大基金在有序减持。（2）二期资金更雄厚， 将聚焦材料、设备等短板领域。二期成立于 2019 年，注册资本 2041.5 亿元，是一期的两倍。目前二期投资已有序开展，截至 2022/1/11，已 直接投资半导体相关的 8 家上市公司与 13 家非上市公司。

税收优惠：持续推出针对半导体企业的税收优惠。自 2011 年起，政府 更新推出针对半导体企业的税收优惠政策，优惠力度不断加码，符合条 件的半导体企业可享受“两免三减半”、“五免五减半”、甚至“十免”的 税收优惠。

科创板极大促进了半导体企业上市，解决融资问题。在科创板开板前， 在主板、创业板上市的半导体企业只有 42 家，2019/6/13 创业板开板后， 推动 51 家半导体公司上市，设计 24 家、材料 11 家、设备 11 家、封测 /功率/制造均为 2 家。截至 2022/1/10，半导体板块市值达 2.9 万亿元， 较 2018/12/31 增长 567%。

打造半导体四大产业集群，各地侧重不同。各地方政府积极引导半导体 企业设立，根据我们的统计，与半导体相关的投资基金有 34 个，其中 专门针对的半导体投资基金总规模超 5000 亿元。根据各城市十四五规 划期间集成电路产业规划情况，到 2025 年半导体产业规模超过千亿级 的城市有 17 个，百亿级城市有 15 个。而目前，已形成四大半导体集群： 1）北京为首的京津冀以设计、设备为主；2）以深圳为首的大湾区以设 计、制造、封装为主；3）以上海为首的长三角，其中上海张江重点发展 设计、临港发展制造、设备和材料，合肥发展 DRAM；4）中西部的武 汉重点发展 NAND Flash。

2.3 中美贸易摩擦不断升级，催化产业链各环节替代意愿

美国对大陆半导体的打压至下而上：芯片购买→设计→代工→设备。中 美贸易摩擦以 2016 年的中兴通讯事件为开端，之后摩擦不断加剧。从 打压路径看，美国对大陆半导体的打压从下游逐渐向上游蔓延：

（1）限制主机厂芯片购买：2019/5/15 华为被列入实体清单后，微软、 高通等供应商随后停止供货（后宣布可申请延期许可证），2020/9/15 禁 令生效。此后被加入实体清单的主机厂还包括海康、大华、科大讯飞等。

（2）限制半导体设计公司使用 EDA 等设计软件&代工服务：2020/5/15 颁布新禁令，将限制台积电给海思设计的芯片提供代工服务、禁止海思 使用 EDA 等设计软件。此后被加入实体清单的半导体设计公司还包括国 科微、景嘉微等。

（3）限制晶圆代工厂进口设备：2020/12/18，中芯国际被列入实体清单， 主要限制使用 10nm 及以下制程的相关设备，此后则在放松 or 加强制裁 力度中反复徘徊（2021 年 3 月 14nm 以上解禁；2021 年 12 月美国国 防部再次提议限制中芯国际使用 14nm 及以下制程的设备。）

国产替代底层逻辑下，科技新浪潮既对半导体提出了要求也提供了机 遇。我们认为，半导体自主可控已成为产业链共识，产业链基本已对美 方态度“脱敏”。在非正常市场环境下，中国大陆从下游主机厂、到上游 半导体设计公司、晶圆代工厂国产替代意愿都极为强烈，因此在国产替 代的底层逻辑下，未来十年，新一代技术浪潮既对半导体产业提出了要 求也提供了机遇。

适逢信息与能源两大技术变革，引领电子行业新十年机遇。参考智能手 机的发展历史，终端设备的渗透率在 10%~50%时，行业进入高速发展 的“甜蜜期”，我们认为，当下时点信息与能源两大技术变革已处于拐点， 将引领电子行业未来十年发展。

1）信息技术变革：渗透率视角下信息技术变革驱动的终端需求迈入增 长拐点，汽车、VR/AR 作为新的人机交互平台雏形初现。a）汽车：汽车电动化跨越 10%渗透率拐点进入加速发展阶段，智能化在 L2 向 L3/L4 跨越带动下迎来风口。b）VR/AR：根据我们的测算，VR 在游戏机中的 渗透率已经达到 16%，产业链成长确定性高；AR 替代手机的渗透率仅 有 0.07%，长期具备更大想象空间。

2）能源技术变革：平价时代能源技术变革加速推进，光伏发电配合储 能助力新旧能源切换。a）光伏：2020 年Ⅰ类地区光伏发电标杆上网电 价降至 0.35 元/kWh，已低于火电，新能源发电替代传统能源发电已经 具备基础，行业进入加速增长阶段。b）储能：发展储能是实现新能源 发电有效利用的关键，行业高成长确定性高，储能方式正在由抽水蓄能 向电化学储能转变。

大陆产业链已做好准备，全面迎接科技浪潮。1）过去十年，苹果供应 链向大陆转移+大陆终端手机品牌的崛起，为一批大陆精密制造、PCB、 光学、被动元器件等企业提供了成长的沃土，该类企业将快速从消费电 子切换至新一代技术；2）大陆半导体在各环节已有初步的技术积累并在 2021 年缺货潮中得到验证，未来在“国产替代+政策助力”的底层逻辑 下，未来十年大陆半导体产业将配合新一代技术革命循序从中低端向高 端切入。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。未来智库 - 官方网站